安恩迪芯片解密研究所长期以来专业从事各类IC芯片解密、单片机解密、DSP芯片解密、ARM芯片解密、CPLD芯片解密等技术研究，面向国内外广大客户提供优质解密方案。以下是TMS320C2801芯片特性供大家参考。
TMS320C2801芯片特性：
高性能静态CMOS 技术• 128 位安全密钥/锁
– 100MHz（10ns 周期时间） – 保护闪存/ OTP/L0/L1 块
– 60MHz（16.67ns 周期时间） – 防止固件逆向工程
– 低功耗（1.8V 电压，3.3V I/O）设计• 三个32 位CPU 定时器
• JTAG 边界扫描支持(1) • 增强型控制外设
• 高性能32 位CPU ( TMS320C28x™) – 多达16 个脉宽调制(PWM) 输出
– 16 x 16 和32 x 32 介质访问控制(MAC) 运算– 具有150ps 微边界定位(MEP) 的最多6 个高分
– 16 x 16 双MAC 辨率PWM (HRPWM)输出
– 哈佛(Harvard) 总线架构– 多达四个捕捉输入
– 连动运算– 多达两个正交编码器接口
– 快速中断响应和处理– 多达六个32 位/六个16 位定时器
– 统一存储器编程模型• 串行端口外设
– 高效代码（使用C/C++ 和汇编语言） – 多达4 个SPI 模块
• 片上存储器– 多达2 个SCI (UART) 模块
– F2809：128K x 16 闪存，18K x 16 SARAM – 多达2 个控制器局域网(CAN) 模块
F2808：64K x 16 闪存，18K x 16 SARAM – 一个集成电路间(I2C) 总线
F2806：32K x 16 闪存，10K x 16 SARAM • 12 位模数转换器(ADC)，16 个通道
F2802：32K x 16 闪存，6K x 16 SARAM – 2 x 8 通道输入复用器
F2801：16K x 16 闪存，6K x 16 SARAM – 两个采样和保持F2801x: 16K x 16 闪存，6K x 16 SARAM
– 单一/同步转换– 1K x 16 一次性可编程(OTP) ROM（只适用于闪
存器件） – 快速转换率：
80ns-12.5 每秒百万次采样(MSPS)（只适用于– C2802：32K x 16 ROM，6K x 16 SARAM F2809） C2801：16K x 16 ROM，6K x 16 SARAM 160ns-6.25MSPS (281x)
• 引导ROM (4K X 16) 267ns-3.75 MSPS (F2801x)
– 带有软件启动模式（通过– 内部或者外部基准
SCI，SPI，CAN，I2C，和并行I/O） • 多达35 个具有输入滤波功能可单独编程的多路复用
– 标准数学表通用输入输出(GPIO) 引脚
• 时钟和系统控制• 高级仿真特性
– 支持动态锁相环(PLL) 比率变化– 分析和断点功能
– 片载振荡器– 借助硬件的实时调试
– 安全装置定时器模块• 开发支持包括
• 任一GPIO A 引脚可被连接至三个外部内核中断中– ANSI C/C++ 编译器/汇编语言/连接器
的一个– Code Composer Studio™ IDE
• 可支持全部43 个外设中断的外设中断扩展(PIE) 块– DSP/BIOS™
• 字节序：小端序– 数字电机控制和数字电源软件库
• 低功耗模式和省电模式
– 支持IDLE（空闲）、STANDBY（待
机）、HALT（暂停）模式
– 可禁用独立外设时钟• 温度选项
• 封装选项– A：-40°C 至85°C (PZ，GGM，ZGM)
– 薄型四方扁平(PZ) 封装– S：-40°C 至125°C (PZ，GGM，ZGM)
– MicroStar BGA™ (GGM，ZGM) – Q：-40°C 至125°C (PZ)
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