"特点
• Clock frequency: 166, 143, 133 MHz
• 完全同步,所有引用到的信号
时钟上升沿
• 对隐藏行访问/预充电的内部银行
• 电源供应器
V
dd
V
ddq
IS42/45S16320B 3.3V 3.3V
IS42S86400B
• LVTTL接口
• 可编程的突发长度
– (1, 2, 4, 8, full page)
• 可编程突发序列：
顺序/交织
• 自动刷新（CBR）
• 自刷新
• 8K refresh cycles every 64 ms
• 随机列地址每时钟周期
• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
• 突发读/写和突发读/单写
作战能力
• 突发爆裂停止和预充电终止
命令
• Available in 54-pin TSOP-II and 54-ball W-BGA
(x16 only)
• 工作温度范围：
Commercial: 0
o
C至+70
o
C
Industrial: -40
o
C to +85
o
C
Automotive, A1: -40
o
C to +85
o
C
概览
ISSI
's 512Mb Synchronous DRAM achieves high-speed
数据传输采用流水线结构.所有的输入和输出信号是指在时钟输入
的上升沿.
8M x16x4 Banks
54-pin TSOPII
" |
|
您当前位置是：商业机会 >> 电子元器件 >> 集成电路(IC) >> 厂家热销 flash存储器IC IS42S16320B-6TL闪存集成电
联系信息